| 描述 | MOSFET N-CH 100V 860A SP6 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 860A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.6 毫欧 @ 275A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 12mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2100nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 60000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2500W | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 | 供应商设备封装 | SP6 |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | APTM10UM01FAGMIAPTM10UM01FAGMI-ND |
