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APTM120DA30T1G

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 14$61.965
产品属性
描述MOSFET N-CH 1200V 31A SP1FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C360 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs560nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds14560pF @ 25V
功率 - 最大657W安装类型底座安装
封装/外壳SP1供应商设备封装SP1
包装散装

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