| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 116A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 120 毫欧 @ 58A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 20mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1100nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3290W | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 | 供应商设备封装 | SP6 |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | APTM120U10SAGMIAPTM120U10SAGMI-ND |
