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APTM20DHM20TG

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(非对称桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C89A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 44.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs112nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds6850pF @ 25V
功率 - 最大357W安装类型底座安装
封装/外壳SP4供应商设备封装SP4
包装散装

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