| 描述 | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 | 漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
|---|---|---|---|
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 25A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5448pF @ 25V | 功率 - 最大 | 208W |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SP1 |
| 供应商设备封装 | SP1 | 包装 | 散装 |
| 其它名称 | APTM50H15UT1GAPTM50H15UT1G-ND |
