| 描述 | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 276 毫欧 @ 17A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 165nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5316pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 208W | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP1 | 供应商设备封装 | SP1 |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | APTM60H23UT1GAPTM60H23UT1G-ND |
