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AS4C128M16D3-12BIN

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产品属性

描述	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA	存储器类型	易失
存储器格式	DRAM	技术	SDRAM - DDR3
存储容量	2Gb	存储器组织	128M x 16
存储器接口	并联	时钟频率	800 MHz
写周期时间 - 字，页	15ns	访问时间	20 ns
电压 - 供电	1.425V ~ 1.575V	工作温度	-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	96-TFBGA
供应商器件封装	96-FBGA（9x13）

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