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AS4C16M16S-6BIN

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产品状态：停产

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产品属性

描述	IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA	存储器类型	易失
存储器格式	DRAM	技术	SDRAM
存储容量	256Mb	存储器组织	16M x 16
存储器接口	并联	时钟频率	166 MHz
写周期时间 - 字，页	12ns	访问时间	5.4 ns
电压 - 供电	3V ~ 3.6V	工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	54-TFBGA
供应商器件封装	54-TFBGA（8x8）

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