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AS4C32M16MS-7BCN

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产品属性

描述	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54BGA	存储器类型	易失
存储器格式	DRAM	技术	SDRAM - Mobile SDRAM
存储容量	512Mb	存储器组织	32M x 16
存储器接口	并联	时钟频率	133 MHz
写周期时间 - 字，页	15ns	访问时间	5.4 ns
电压 - 供电	1.7V ~ 1.95V	工作温度	-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	54-VFBGA
供应商器件封装	54-BGA（9x8）

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