您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > RF 晶体管 (BJT) > at-41435g
  • AT-41435G

AT-41435G

  • 制造商:-
  • 数据列表:AT-41435
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述TRANS NPN BIPO 12V 60MA 35-SMD晶体管类型NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V频率 - 转换8GHz
噪声系数(dB典型值@频率)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz增益10dB ~ 18.5dB
功率 - 最大500mW在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大)60mA安装类型表面贴装
封装/外壳4-SMD(35 micro-X)供应商设备封装35 micro-X
包装散装其它名称516-1856AT-41435G-ND

at-41435g的相关型号: