| 描述 | TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V | 频率 - 转换 | 8GHz |
| 噪声系数（dB典型值@频率） | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz | 增益 | 10dB ~ 18dB |
| 功率 - 最大 | 500mW | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 10mA，8V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 60mA | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD（35 micro-X） | 供应商设备封装 | 35 micro-X |
| 包装 | 散装 |
