| 描述 | IC FLASH 1MBIT 70NS 44PLCC | 存储器类型 | FLASH |
|---|---|---|---|
| 存储容量 | 1M (64K x 16) | 速度 | 70ns |
| 接口 | 并联 | 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C | 封装/外壳 | 44-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装 | 44-PLCC（16.59x16.59） | 包装 | 管件 |
fffh共28k字节，用来保存4段系统运行配置程序，每段长度可达7k字节；10000h- 1ffffh共64k字节，用来作为采集数据的保存区域。ram中的0000h~8fffh共36k字节，用来作为数据的缓存区域。从上面的分析可以看出，最终设计的各项指标都已经超过实际的需求，能很好地解决实际应用问题。 4 合理利用日eady信号 最后介绍一下单片机就绪信号ready在这个系统中的关键作用。从前面的设计中可以看出系统存在着高速ram和慢速hash rom存储器，开始时，hash rom选用了at29c1024-70jct31，它是该型号中速度最快的，有效数据建立时间仅为70ns。单片机不插入等待周期的读写时序，如图5所示。 从ale下降沿地址有效到／rd上升沿的时间是80ns，hash的响应时间为70ns，再加上epld的延时就造成了单片机从hash rom读取数据的不稳定，表现在无法对flash rom进行在线写入、经常发生错误的执行结果、死机等。为此必须加入等待周期，延长读、写时间才能满足hash rom的要求。在这里只需插入一个等待周期(100ns)便可以满足要求，因此设置芯片配置字节ccr．5=0， ...
