| 描述 | SILICON DIODE, VRRM=85V, VR=80V. | 二极管配置 | 1 对共阳极 |
|---|---|---|---|
| 技术 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 80 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 215mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25 V @ 150 mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 3 μs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 nA @ 75 V | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SSD3 |
