| 描述 | TRANS BIPO GP NPN 30V 100MA TO-9 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 120 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 150MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】BC183C_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN 30V 100mA
【Fairchild Semiconductor】BC183LC,TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC183LC_D27Z,TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC183LC_J35Z,TRANS BIPO GP NPN 30V 100MA TO-9
【Fairchild Semiconductor】BC183LC_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN 45V 100mA HFE/85
【Fairchild Semiconductor】BC184,TRANSISTOR NPN 30V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC184_D27Z,TRANSISTOR NPN 30V 500MA TO-92