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BC213_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 1 mA at 10 V
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk集电极连续电流- 0.5 A
功率耗散625 mW

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