描述 | TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 800mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 700mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 100mA,1V |
功率 - 最大 | 625mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
状态变为正偏状态。 (二)高频晶体管 高频晶体管(指特征频率大于30mhz的晶体管)可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。 常用的国产高频小功率晶体管有3ag1~3ag4、3ag11~3ag14、3cg3、3cg14、3cg21、3cg9012、3cg9015、3dg6、3dg8、3dg12、3dg130、3dg9011、3dg9013、3dg9014、3dg9043等型号,部分国产高频小功率晶体管的主要参数。 常用的进口高频小功率晶体管有2n5551、2n5401、bc148、bc158、bc328、bc548、bc558、9011~9015、s9011~s9015、tec9011~tec9015、2sa1015、2sc1815、2sa562、2sc1959、2sa673、2sc1213等型号。 2.高频中、大功率晶体管 高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。 常用的国产高频中、大功率晶体管有3dg41a~3dg41g、3dg83a~3dg83e、3da87a~3da87e、3da88a~3da88e、3da93a~3da9 ...
高压发生器的电路如图所示。 高压发生器电路 电路工作原理:该电路能将6~12v的直流电源逆变为高压脉冲。它由两只晶体管等元件组成振荡器,可以产生大约3hz的脉冲电压,该电压被送到一个6v/240v的变压器。每当脉冲结尾时,在变压器的一次绕组中会产生一个高压,改变c2或r1的值可以改变脉冲的频率。 该电路的电源可以采用6~12v电压范围的各种直流电压源。在功率较大的情况下,要选用铅酸电池等类似的电源。 元器件选择:v1选用bc328型,v2选用bc338型,需安装回形散热片。对于较低功率的应用,供电电源可以采用6只aa规格的电池,v1选用bc558型,v2选用bc548型。 来源:apple ...
相关元件pdf下载:bc338 bc328 如图电路利用6v-12v直流电源可产生一种高压脉冲。电路中三极管q1、q2构成了一振荡器,产生频率为3hz的直流脉冲电压,并输入变压器比为6v:240v升压器的初级线圈,在每个脉冲结束时,相应地在变压器的次级线圈产生一高电压。脉冲的重复频率可通过选择c2、r1值进行调整。本电路在警棍中使用时,可采用铅酸电池。 ...
相关元件pdf下载:bc328 ...
相关元件pdf下载:bc328 fly161|fluy131 ...
【Fairchild Semiconductor】BC328_J35Z,TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC328_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP -25V -800mA HFE/63
【Fairchild Semiconductor】BC32816BU,TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92
BC328-16-BULKS,Transistors Bipolar (BJT) PNP Audio Amplifier
【Fairchild Semiconductor】BC32816TA,TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC32825,TRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC32825_J35Z,TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92