描述 | BC51PA-Q/SOT1061/HUSON3 | 晶体管类型 | PNP |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1 A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45 V |
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 420 mW |
频率 - 跃迁 | 145MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
供应商器件封装 | 3-HUSON(2x2) |
【NXP Semiconductors】BC52-10PA,115,MOSFET Chemical content BC52-10PA
【NXP Semiconductors】BC52-16PA,115,MOSFET 60 V, 1 A PNP medium power transistors
【NXP Semiconductors】BC52PA,115,MOSFET 60 V, 1 A PNP medium power transistors
【NXP Semiconductors】BC53-10PA,115,MOSFET 80 V, 1 A PNP medium power transistors