| 描述 | TRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 180 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 625mW | 频率 - 转换 | 320MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
| 其它名称 | BC557BOS |
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(频率偏移)，使ic的6脚和7脚之司产生电压差，pa的指针出现偏转，指示频率的变化量。 调节rpi的阻值，可改变vco的工作频率。 调节rp2的阻值，使pa在l未检测到金属物体时指示为0。 元器件选择 rl-r6选用1/4w或l/8w碳膜电阻器。 rpl选用多圈精密电位器;rp2选用单圈普通合成膜电位器。 cl和c2均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3-c5和c8均选用独石电容器;c6和c7均选用高频瓷介电容器。 vl选用bc547b或s9018型npn晶体管;v2和v3选用bc557b或c8550型硅pnp晶体管。 ic选用ne555双时基集成电路。 l用φ0·49mm的漆包线在φ1ocm的塑料骨架上绕40匝制成。 gbl和gb2均选用9v积叠电池。 pa选用土5oμa的中零电流表。 ...
【NXP Semiconductors】BC557B AMO,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP AMMO WIDE PITCH
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