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BC635_D75Z_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min25 at 5 mA at 2 V
配置Single最大工作频率100 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Ammo
集电极连续电流1 A最小工作温度- 65 C
功率耗散1 W

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