| 描述 | Interface | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 110 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 150 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
【Taiwan Semiconductor】BC848B,Transistors Bipolar (BJT) Transistor 200mW
【NXP Semiconductors】BC848B /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-13
【NXP Semiconductors】BC848B T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC848B,215,TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
【NXP Semiconductors】BC848B,235,TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
【Diodes Inc.】BC848B-13-F,Transistors Bipolar (BJT) NPN Small SIG 30V 30V VCEO 5.0V VEBO
