您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > bc848cdw1t1g
  • BC848CDW1T1G

BC848CDW1T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.04761
  • 6000$0.0414
  • 15000$0.03519
  • 30000$0.03312
  • 75000$0.03105
描述TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)30VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)420 @ 2mA,5V
功率 - 最大500mW频率 - 转换100MHz
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)
其它名称BC848CDW1T1G-NDBC848CDW1T1GOSTR

“BC848CDW1T1G”技术资料

  • BC848CDW1T1G的技术参数

    产品型号:bc848cdw1t1g类型:npn/npn集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):30集电极最大持续电流ic(max)(a):0.100直流电流增益hfe最小值(db):420直流电流增益hfe最大值(db):250最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100功率耗散pd(w)@25℃:0.380封装/温度(℃):sot-363/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱 ...

bc848cdw1t1g的相关型号: