| 晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
|---|---|---|---|
| 最大功率耗散 | 330 mW | 最大发射极-基极电压 | 6 V |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | 最大直流集电极电流 | 0.1 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V | 最小直流电流增益 | 200 V |
| 最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 250 MHz |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
| 配置 | 单 | 长度 | 2.9mm |
| 高度 | 1mm |
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