描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP 0.1A 65V LN | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 125 | 配置 | Single |
最大工作频率 | 100 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
封装 | Reel | 功率耗散 | 250 mW |
工厂包装数量 | 3000 |
【NXP Semiconductors】BC856T T/R,Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC856T,115,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SC-75
【NXP Semiconductors】BC856W /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC856W T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC856W,115,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
【NXP Semiconductors】BC856W,135,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323