描述 | TRANSISTOR PNP 100MA 65V SOT-23 | 晶体管类型 | PNP |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 65V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大) | 15nA |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 125 @ 2mA,5V | 功率 - 最大 | 310mW |
频率 - 转换 | 200MHz | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BC856A-TPMSTR |
【NXP Semiconductors】BC856AW /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC856AW T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC856AW,115,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
【NXP Semiconductors】BC856AW,135,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
【Diodes Inc.】BC856AW-7,Transistors Bipolar (BJT) PNP BIPOLAR