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BC856BDW1T3

描述Transistors Bipolar (BJT) SS GP XSTR PNP 65V最大直流电集电极电流0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min150 at 10 uA at 5 V配置Dual
最大工作频率100 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363
封装Reel集电极连续电流- 100 mAdc
最小工作温度- 55 C功率耗散380 mW
工厂包装数量10000

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