| 描述 | TRANSISTOR GEN PURP | 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
