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BC857BV-T

  • 制造商:-
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:45 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) 100mA -45最大直流电集电极电流0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min200 at 2 mA at 5 V配置Single
最大工作频率100 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-563
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散150 mW工厂包装数量3000

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