描述 | TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-323 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大 | 150mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商设备封装 | SC-70-3(SOT323) | 包装 | 带卷 (TR) |
【Taiwan Semiconductor】BC858B,Transistors Bipolar (BJT) Transistor 200mW
【NXP Semiconductors】BC858B /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC858B T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC858B,215,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT23
【NXP Semiconductors】BC858B,235,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT23