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BC858CDXV6T1

描述Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V Dual PNP最大直流电集电极电流0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min420 at 2 mA at 5 V配置Dual
最大工作频率100 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-563-6
封装Reel集电极连续电流- 0.1 A
最小工作温度- 55 C功率耗散357 mW

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