描述 | Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 PNP GP AMP | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 200 at 2 mA at 5 V |
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配置 | Single | 最大工作频率 | 150 MHz |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOT-23 | 封装 | Reel |
集电极连续电流 | - 0.1 A | 最小工作温度 | - 65 C |
功率耗散 | 310 mW |
【NXP Semiconductors】BC859BW /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC859BW T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC859BW,115,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
【NXP Semiconductors】BC859BW,135,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
【Fairchild Semiconductor】BC859C,Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 PNP GP AMP