| 描述 | TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 420 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 225mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
产品型号:bc859clt1g类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):30集电极最大电流ic(max)(ma):100直流电流增益hfe最小值(db):420直流电流增益hfe最大值(db):800最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):sot-23/-55~150价格/1片(套):￥.20 来源:零八我的爱 ...
【ON Semiconductor】BC859CLT3,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V PNP
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【Fairchild Semiconductor】BC859CMTF,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT-23
【NXP Semiconductors】BC859CW /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC859CW T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC859CW,115,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323