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BC860AMTF_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min110 at 2 mA at 5 V
配置Single最大工作频率150 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流- 0.1 A最小工作温度- 65 C
功率耗散310 mW

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