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BCP56_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) SOT-223 NPN GP AMP直流集电极/Base Gain hfe Min25 at 5 mA at 2 V
配置Single Dual Collector最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-223
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散1000 mW

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