| 描述 | TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 2.2k | 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 70 @ 5mA，5V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 500?A，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 频率 - 转换 | 170MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BCR 108 E6327-NDBCR108E6327BTSA1BCR108E6327HTSA1BCR108E6327INTRBCR108E6327XTSP000010736 |
