| 描述 | TRANSISTOR PNP DGTL AF TSLP-3 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 4.7k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 20 @ 5mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 500?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 200MHz | 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 供应商设备封装 | PG-TSLP-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BCR162L3E6327XTSP000014868 |
