描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Silicon Double TRANSISTOR | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 at 0.1 mA at 5 V | 配置 | Dual Common Base |
最大工作频率 | 250 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-143 |
封装 | Reel | 最小工作温度 | - 65 C |
功率耗散 | 300 mW | 工厂包装数量 | 3000 |
零件号别名 | BCV61BE6327HTSA1 BCV61BE6327XT SP000010886 |