晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 300 mW | 最大发射极-基极电压 | 6 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | 最大连续集电极电流 | 0.1 A |
最大集电极-发射极电压 | 30 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V |
最小直流电流增益 | 100 | 最高工作温度 | +150 °C |
每片芯片元件数目 | 2 | 配置 | 共基极、双 |
长度 | 2.9mm | 高度 | 1mm |
【NXP Semiconductors】BCV62 /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS MATCHED PAIR TAPE-11
【NXP Semiconductors】BCV62 T/R,Transistors Bipolar (BJT) PNP 30V 100mA
【NXP Semiconductors】BCV62,215,Transistors Bipolar (BJT) PNP 30V 100mA
【NXP Semiconductors】BCV62,235,Transistors Bipolar (BJT) TRANS MATCHED PAIR
【NXP Semiconductors】BCV62A,215,Transistors Bipolar (BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7