描述 | TRANSISTOR PNP 32V 500MA SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 500mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 500?A,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 215 @ 2mA,5V |
功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | - |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
【NXP Semiconductors】BCW30 /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BCW30 T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BCW30,215,TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
【NXP Semiconductors】BCW30,235,TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
【Fairchild Semiconductor】BCW30_Q,Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 PNP GP AMP
【ON Semiconductor】BCW30LT1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 32V PNP