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BCW32_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 NPN GP AMP直流集电极/Base Gain hfe Min200 at 2 mA at 5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel集电极连续电流0.5 A
最小工作温度- 55 C功率耗散350 mW

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