| 描述 | TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 550mV @ 1.25mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 380 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 125MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
【NXP Semiconductors】BCW60D /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BCW60D,215,TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
【NXP Semiconductors】BCW60D,235,TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
【Fairchild Semiconductor】BCW60D_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN/ 32V/ 100mA
【Fairchild Semiconductor】BCW60DMTF,Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 NPN GP AMP
