描述 | TRANSISTOR PNP MED PWR SOT23-3 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 500mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 620mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 100mA,1V |
功率 - 最大 | 330mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
【NXP Semiconductors】BCX18 /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BCX18 T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BCX18,215,TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT23
【NXP Semiconductors】BCX18,235,TRANSISTOR PNP 25V 500MA SOT23
【ON Semiconductor】BCX18LT1,Transistors Bipolar (BJT) 500mA 30V PNP