描述 | Transistors Bipolar (BJT) 65W PNP Silicon | 最大直流电集电极电流 | 6 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220 | 最小工作温度 | - 65 C |
功率耗散 | 65000 mW | 工厂包装数量 | 50 |
的大小。 元器件选择 r1~r4、r7、r11、r13和r14选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器;r5、r8、r9和rl2选用2w金属膜电阻器或线绕电阻器;r6和rlo均选用1w金属膜电阻器。rpl和rp2均选用小型实心电位器。 cl~c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vll~vl4均选用φ5mm的发光二极管,vl1和vl3选用绿色,vl2和vl4选用红色。 vs1~vs4均选用1/2w、4.2v的稳压二极管。 ur选用3a、5ov的整流桥堆。 vl和v3选用tip42或bd244型硅pnp晶体管;v2和v4选用tip41或bd243型硅npn晶体管。 ic1选用ne555型时基集成电路;ic2选用cd4066型电子开关集成电路;ic3选用lm324型四运放集成电路。 t选用8w、二次电压为6v的电源变压器。 来源:零八我的爱 ...
金属膜电阻器;r23选用lw金属膜电阻器。 cl和c2均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3和c4均选用独石电容器。 vd选用1n4148型硅开关二极管。 vll-vu均选用45mm的发光二极管,vll选红色,vl2选绿色,vl3选橙色。 ur选用3a、5ov的整流桥堆。 vl和vz均选用3cg8550或58550、25a1015型硅pnp晶体管;v3选用c8050或58050、3dg8050、2scl815等型号的硅npn晶体管;v4选用3cdlob或bd244、tip42型硅pnp晶体管;v5选用3dd67b或bd243、tlp41型硅npn晶体管。 icl选用78l05型三端稳压集成电路;ic2选用lm358型运算放大器集成电路;ic3选用cd4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路。 t选用5-8w、二次电压为lov的电源变压器。 s1选用单极双位 (单刀双掷)·开关;s2选用单极四位波段开关。 来源:university ...
【Fairchild Semiconductor】BD244A,TRANSISTOR PNP 60V 6A TO-220
【Bourns】BD244A-S,Transistors Switching (Resistor Biased) 60V 6A PNP
【Fairchild Semiconductor】BD244ATU,TRANSISTOR PNP 60V 6A TO-220
【Bourns】BD244B-S,Transistors Switching (Resistor Biased) 80V 6A PNP
【Fairchild Semiconductor】BD244BTU,TRANSISTOR PNP 80V 6A TO-220
【Fairchild Semiconductor】BD244C,TRANSISTOR PNP 100V 6A TO-220