| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) 80W NPN Silicon | 最大直流电集电极电流 | 10 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-93 |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 80000 mW |
| 工厂包装数量 | 30 |
阻器;r5、r6均选用5w的水泥电阻器;r7-rlo均选用1/4w金属膜电阻器。 rpl和rp2均选用膜式可变电阻器;rp3选用小型精密电位器。 cl选用耐压值为63v的铝电解电容器;c2-c5均选用独石电容器。 vd选用1n4148型硅开关二极管。 vs选用1/2w、4.7v的硅稳压二极管，例如ln5992b等型号。 vl选用φ5mm的发光二极管。 ur选用l5a、5ov的整流桥堆，例如kbpc25-04等型号。 vl-v4和v7选用2n3055或tip3055、3dklo8d、bd245c型大功率硅npn晶体管;v5和v6选用bcl41或3dkloc、bc301、2n1711等型号的硅npn晶体管。 vt选用mcrlo0-6或bry45型晶闸管。 ic选用μa78guic型四端可调稳压集成电路。 hl选用220v电源指示灯。 来源:零八我的爱 ...