均选用1/4w碳膜电阻器;r3选用1w金属膜电阻器或线绕电配器。 rp选用小型合成膜电位器或实心电位器。c1选用耐压值为25v的铝电解电容器。 vd1和vd2选用1n4001或1n4007型硅整流二极管。 vl选用φ3mm的绿色发光二极管。 vs选用1/2w、6~14v的稳压二极管。 v1选用2sc2073或2n6474、3da2481型硅npn晶体管;v2和v3选用c8050或s9013型硅npn晶体管 (v1和v2可用一只中功率达林顿晶体管代替，如tip110~tip112和bd265等型号)。 ic选用lm317型三端稳压集成电路。 t选用8~1ow、双12v的电源变压器。 来源:零八我的爱 ...
