| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) 115W NPN Silicon | 最大直流电集电极电流 | 20 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-93 | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 115000 mW | 工厂包装数量 | 30 |
5选用2-3w的线绕电阻器。 rp选用多圈线绕电阻器。 cl和c7均选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c2和c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3、c4和c6均选用独石电容器。 vdl和vd2均选用ln4007型硅整流二极管;vd3和vd4均选用ln4148型硅开关二极管。 vll和vl2均选用φ3mm或φ5mm的普通发光二极管。 ur选用3a、loov的整流桥堆。 vl选用c8550或s8550、3cg8550型硅pnp晶体管;v2选用3da27或2sc2484、bd245b、bd745等型号的硅npn晶体管;v3选用c8050或s8050、3dg8050型硅npn晶体管。 icl选用tl431或μa431型精密三端稳压集成电路;ic2选用78l06型三端稳压集成电路;ic3选用cd4049或cd4069型非门(反相器)集成电路。 t选用20-30w、二次电压为8v和28v的电源变压器。 s1选用单极交流电源开关；s2选用微型动合 (常开)按钮。 k选用4098系列的6v直流继电器。 来源:零八我的爱 ...
w的线绕电阻器。 rp选用多圈线绕电阻器。 cl和c7均选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c2和c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3、c4和c6均选用独石电容器。 vdl和vd2均选用1n4007型硅整流二极管;vd3和vd4均选用ln4148型硅开关二极管。 vll和vl2均选用φ3mm或φ5mm的普通发光二极管。 ur选用3a、loov的整流桥堆。 vl选用c8550或s8550、3cg8550型硅pnp晶体管;v2选用3da27或2sc2484、bd245b、bd745等型号的硅npn晶体管;v3选用c8050或s8050、3dg8050型硅npn晶体管。 icl选用tl3l或μa431型精密三端稳压集成电路;ic2选用78lo6型三端稳压集成电路;ic3选用cd4049或cd4069型非门(反相器)集成电路。 t选用20-30w、二次电压为8v和28v的电源变压器。 s1选用单极交流电源开关s2选用微型动合 (常开)按钮。 k选用4098系列的6v直流继电器。 ...