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BF257

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN High Voltage直流集电极/Base Gain hfe Min25
最大工作频率90 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO 5
封装Bulk功率耗散5000 mW
工厂包装数量500

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