| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | - | 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | - | 功率 - 最大 | 350mW |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 67 @ 1mA，10V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 30mA |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
c19的容量，使l靠近金属物体时bl发出警示声。调整rp的阻值，可改变扬声器bl发声的大小。 元器件选择 r1～r15均选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用带开关的合成膜电位器。 c1和c14、c15均选用耐压值为16v的铝电解电容器；c2～c4、c7～c13和c16～c18均选用独石电容器；c5和c6均选用高频瓷介电容器；c19选用小型聚酯薄膜微调电容器或云母微调电容器。 vd1和vd2均选用2ap9型锗普通二极管。 v1～v3均选用59018或bf494型硅npn晶体管。 ic选用tda2822型音频功率放大集成电路。 l用φo.51mm的漆包线在φ10cm的骨架上绕10～20匝。 bl选用0.25～0.5w、8ω的电动式扬声器。 zc选用电视机用的5.5mhz或6.5mhz陶瓷滤波器。 欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com） ...
