| 描述 | BF821-Q/SOT23/TO-236AB | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 800mV @ 5mA，30mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 25mA，20V | 功率 - 最大值 | 250 mW |
| 频率 - 跃迁 | 60MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
【NXP Semiconductors】BF822 T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS HV TAPE-7
【NXP Semiconductors】BF823 T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS HV TAPE-7
【NXP Semiconductors】BF824 /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS MED FREQ TAPE-11
【NXP Semiconductors】BF824 T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS MED FREQ TAPE-7
