您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bfn36tc

BFN36TC

制造商：-
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：250 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：0.5 A

发布求购更多供应商

产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) -	直流集电极/Base Gain hfe Min	25
配置	Single Dual Collector	最大工作频率	70 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-223	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	2000 mW

bfn36tc的相关型号：