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  • BLA1011-200

BLA1011-200

描述射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-MICP增益13 dB
输出功率200 W汲极/源极击穿电压75 V
闸/源击穿电压+/- 22 V最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体SOT-538A封装Reel
最小工作温度- 65 C安装风格SMD/SMT
功率耗散700 W电阻汲极/源极 RDS(导通)0.06 Ohms
工厂包装数量20零件号别名BLA1011-200,112

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